اصول انتخاب قطعات مداریک تقویت کننده ترانزیستوری :

1. ابتدا ولتاژ منبع تغذیه را معلوم کنید.VCC=10 V
2. سهم ولتاژ هر بخش VRC,VCE,VE را در نظر بگیرید. معمولا VCE=0.5*VCC, VE=0.1*VCC,VRC=0.4*VCC :
3. مقدار مقاومت بار RL, مقاومت ایمیتر RE, و مقاومت کلکتور  RC,را مشخص نمایید. معمولا RC=4*RE :
4. همیشه در نظر داشته باشید که IE=VE/RE,IE=IC
5. از رابطه زیر برای یافتن ولتاژ ورودی بیس استفاده کنید:VB=0.6+VE =V2 و V1=VCC-V2
6. مقاومتRE ترانزیستور را ضربدر B بهره مستقیم آن نمایید تا مقاومت واقعی از نگاه بیس بدست آید.
7. مقاومت R2 را یک دهم تا صدم این مقدار در نظر بگیرید. R2=0.1*B*REیا R2=0.01*B*RE
8. از این رابطه مقدار R1 را بدست آورید:  R1=R2*V1/V2
9. برای خازن های کنارگذر ایمیتر از مقادیر زیر استفاده نمایید:(CRE=1/(0.2*3.14*f*RE (f حداقل فرکانس مدار است)
10. برای ایزوله کردن هر طبقه از سایر طبقات از یک خازن یک میکروفاراد با دوبرابر ولتاژ مدار کمک بگیرید.
11. مقاومت متغیر ایمیتر را از رابطه زیر بدست آورید: r'e=25mV/RE
12. مقدار متوسط بهره ولتاژ هر طبقه را از رابطه زیر بدست آورید: AV=RC/r'e البته این رابطه بسته به نوع آرایش تقویت کننده ها کمی متفاوت است.
13. جریان های I1,I2 مربوط به R1,R2  نباید از جریان ایمیتر بیشتر شوند.
14. در بخش هایی که با مقاومت های تقسیم ولتاژ موجه هستید سعی نمایید مقاومت متصل به R2 حداقل ده تا صد برابر بیشتر از R2 باشد تا یک دهم الی یک صدم جریان از آن کمتر بگذرد. مثلا ده برابر بودن مقاومت متصل به R2 نسبت به R2 ، حدود 7% افت ولتاژ بر روی R2 نسبت به حالتی که نباشد ایجاد می کند. در صورتی که اگر این مقاومت 100 برابر R2 باشد این مقدار افت ولتاژ به 1% خواهد رسید.
15. سعی نمایید مقدار مقاومت ورودی و خروجی هر مدار را از منظر جریان متناوب در نظر بگیرید تا ضمن تطبیق مقاومت ها از هدر رفتن توان در هر مداری جلوگیری شود.
16. همانطور که می دانید 0.6 ولت بین بیس و ایمیتر باعث روشن شدن ترانزیستور می شود. به طور متوسط 0.1 ولت تغییرات بر روی این ولتاژ حدود 10 درصد میزان جریان بیس را تغییر می دهد.
17. به ازای هر 60 میلی ولت تغییرات ولتاژ بیس ایمیتر، جریان کلکتور 10 درصد تغییر می کند.
18. ولتاژ بیس ایمیتر به ازای هر درجه سانتی گراد حدود 2 میلی ولت تغییر می کند.